姓名：李志坚 学科：工学 出生年： 1928

人物传略

1951年浙江大学物理系毕业，1953 年留学前苏联列宁格勒大学，1958年获物理-数学副博士学位，同年回 国在清华大学无线电电子学系任教，历任半导体教研组主任、微电子学研究副所长、所长，1991年被选为中国科学院院士。曾任国务院学术委员会专业评议组成 员（电子学与通信）、国家教育部科技委专业组组长（电子学与通信）、中国电子学会副理事长、中国电子学会半导体专业分会副主任、清华大学学术委员会委员、 清华大学信息学院学术委员会主任。五十年代进行了薄膜电导和光电导机理的研究，提出了多晶膜晶粒间电子势垒模型。六、七十年代，对中国早期硅器件技术的发展作出了重要贡献，八十 年代，领导研制出硅栅N沟1K、4K静态RAM和8位、16位微处理器等电路。九十年代领导建成我国首条１微米工艺线并研制出１兆位汉字ROM等一批超大 规模集成电路（VLSI），这些成果代表了当时我国集成电路技术的先进水平。主编出版了《半导体材料硅》、《MOS大规模集成技术》、《微电子技术中的MOS物理》等书， 倡导并参加发明的超大规模集成电路快速热处理技术与装置获中国和美国专 利三项，他主持的国家重大科学基金项目——系统集成基础技术研究取得了一批国际一流成果，曾获得国家发明二等奖和国家科技进步二等奖各一次，部委级科技进 步一、二等奖各二次。曾获1984年国家级有突出贡献的中青年专家称号，1997年度陈嘉庚信息科学奖，2000年度“何梁何利” 科技进步奖，2003年度清华大学“教书育人奖”。

学人著作